以最大功率点在-V曲线上的形成的矩形面积除以Uoc与sc形成的面积作为FF,即填充因子。
作为半导体器件,其在sc附近的曲线符合电流源特性,在Voc附近的曲线符合电压源特性,因此以sc附近曲线斜率倒数作为并联电阻Rsh,以Uoc附近曲线斜率倒数作为串联电阻Rs。
从图中可见,sc附近曲线斜率与Uoc附近曲线斜率对FF影响极大,即FF大小受制于Rs与Rsh。
测试机原理
测试过程中亮场与暗场情况下正向与反向偏压的-V曲线如下所示。
时间:2020-02-05 00:55 来源: 作者: 点击: 次
以最大功率点在-V曲线上的形成的矩形面积除以Uoc与sc形成的面积作为FF,即填充因子。
作为半导体器件,其在sc附近的曲线符合电流源特性,在Voc附近的曲线符合电压源特性,因此以sc附近曲线斜率倒数作为并联电阻Rsh,以Uoc附近曲线斜率倒数作为串联电阻Rs。
从图中可见,sc附近曲线斜率与Uoc附近曲线斜率对FF影响极大,即FF大小受制于Rs与Rsh。
测试机原理
测试过程中亮场与暗场情况下正向与反向偏压的-V曲线如下所示。