(来源:微信公众号“pvaC”)
这一电池的背面采用了基于Fraunhofer-SE的TOPCon技术的全面积钝化触点,正面为基于介质钝化层的高度透明表面。与传统的正面p–n结工业电池不同,该电池p–n结在背面,其形式为全面积多晶硅基钝化接触。
研究人员表示,他们目前正致力于这一新技术的商业化生产,以期实现电池的低制造成本。
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